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| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘王来; 叶小玲 ; 徐波; 王占国
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| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 彭银生; 叶小玲; 徐波; 牛洁斌; 贾锐; 王占国; 梁松; 杨晓红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘国利; 王圩; 张佰君; 许国阳; 陈娓兮; 叶小玲; 张静媛; 汪孝杰; 朱洪亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘超; 李国辉; 韩德俊; 姬成周; 陈涌海; 叶小玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 钱家骏; 叶小玲; 徐波; 韩勤; 陈涌海; 丁鼎; 梁基本; 刘峰奇; 张金福; 张秀兰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨君玲; 陈诺夫; 叶小玲; 何宏家
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国
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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲
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| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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