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| 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236704.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 吕雪芹; 金鹏 ; 王占国
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王佐才; 吕雪芹; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖友贵; 金鹏; 李乙钢; 张存洲; 潘士宏; 梁基本
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 金鹏; 潘士宏; 梁基本
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张春玲; 赵凤瑗; 徐波; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙捷; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周立; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁志梅; 吴巨; 金鹏; 吕雪芹; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jin P; Pan SH; Liang JB; Jin P,Nankai Univ,Dept Phys,Tianjin 300071,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun J; Jin P; Wang ZG; Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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| 提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 金灿; 金鹏; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国
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| 半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 金鹏; 王占国
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国
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| 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国
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