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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣
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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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| P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕
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| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞
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| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强
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| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕
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