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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1242/168  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1249/131  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉 Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/163  |  提交时间:2011/08/30 |
| 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1537/187  |  提交时间:2011/08/30 |
| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉 Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1406/174  |  提交时间:2011/08/30 |
| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1135/161  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1027/156  |  提交时间:2011/08/30 |
| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军 Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1049/156  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1130/178  |  提交时间:2011/08/30 |
| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉 Adobe PDF(603Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/279  |  提交时间:2010/08/12 |
| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉 Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1688/271  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(388Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/215  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明; 刘宗顺; 杨辉 Adobe PDF(402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1181/220  |  提交时间:2009/06/11 |
| 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李德尧; 张书明; 杨辉; 梁俊吾 Adobe PDF(651Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明; 种明; 朱建军; 杨辉 Adobe PDF(688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:949/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明; 杨辉 Adobe PDF(518Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:837/135  |  提交时间:2009/06/11 |
| 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李丙乾; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(518Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:773/134  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨辉; 张书明 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:743/133  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明; 杨辉 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:842/131  |  提交时间:2009/06/11 |
| 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨辉; 张书明 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/177  |  提交时间:2009/06/11 |