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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liangsong@red.semi.ac.cn
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