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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB ; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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