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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
InGaN基发光二极管的反常特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  丁凯
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非极性GaN基稀磁半导体的制备与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  孙莉莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou W. Z.);  Lin T (Lin T.);  Shang LY (Shang L. Y.);  Yu G (Yu G.);  Gao KH (Gao K. H.);  Zhou YM (Zhou Y. M.);  Wei LM (Wei L. M.);  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn;  jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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立方相碳化硅高量程微机械加速度计研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  杨挺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min);  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL (Sun Lili);  Liu C (Liu Chao);  Li JM (Li Jianming);  Wang JX (Wang Junxi);  Yan FW (Yan Fawang);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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MOCVD设备研制及氮化物材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  殷海波
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InGaN 太阳能电池理论模拟及制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  张小宾
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