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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG;  Zhang XW;  Yin ZG;  Wang JX;  Dong JJ;  Wang ZG;  Qu S;  Cui B;  Wowchak AM;  Dabiran AM;  Chow PP;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(3266Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1379/380  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J;  Zhang XW;  Yin ZG;  Tan HR;  Zhang SG;  Fan YM;  Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1476/371  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈盛;  张兴旺;  毛和璜;  余银祥;  韩增华;  汤叶华;  周春兰;  王文静
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/331  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang J;  You JB;  Chen CC;  Hsu WC;  Tan HR;  Zhang XW;  Hong ZR;  Yang Y;  Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
Adobe PDF(4929Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1505/359  |  提交时间：2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM;  Zhang H;  Wang J;  Chen NF;  Yao JX;  Huang TM;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fu Z;  Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1139/342  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Y;  Zhang XW;  Yin ZG;  Qu S;  You JB;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1209/327  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
Adobe PDF(1081Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/339  |  提交时间：2011/08/16
一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  应杰;  张兴旺;  范亚明
Adobe PDF(471Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1244/218  |  提交时间：2011/08/31
背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  张兴旺;  朱小宁;  刘德伟;  马丽;  黄永光
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1367/264  |  提交时间：2011/08/31