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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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