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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
Adobe PDF(2279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/20  |  提交时间：2017/06/01
第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  柴小力
Adobe PDF(3171Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1403/66  |  提交时间：2017/05/31
窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  Dbr光栅  
基于MnGa/Co2MnSi双层膜的垂直易磁化隧道结设计及制备 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  毛思玮
Adobe PDF(4804Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/19  |  提交时间：2017/05/31
分子束外延  垂直磁性隧道结  Mnga  Co2mnsi  反铁磁耦合