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| 发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1780/390  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1510/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157625.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/273  |  提交时间:2011/08/31 |
| 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1457/285  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1489/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1392/259  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高质量氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1278/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/190  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种紫外LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1804/343  |  提交时间:2012/09/09 |