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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1055/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:966/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1905/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1725/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1471/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102351236A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(840Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/167  |  提交时间:2012/09/09 |
| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1539/231  |  提交时间:2011/08/31 |