中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1469/233  |  提交时间：2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1240/227  |  提交时间：2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1320/197  |  提交时间：2009/06/11