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| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:974/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1280/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1056/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1093/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:970/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1278/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平; 黄风义; 王保强; 朱占平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1028/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔利杰; 曾一平; 王保强; 朱战平 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1308/180  |  提交时间:2009/06/11 |