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| 表面高反型半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:951/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1055/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:966/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:774/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:917/132  |  提交时间:2009/06/11 |
| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:932/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 脊形波导量子级联激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 路秀真; 常秀兰; 胡颖; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1001/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 模式识别专用神经网络计算机系统及应用方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王守觉; 李卫军; 赵顾良; 孙华 Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:975/182  |  提交时间:2009/06/11 |