×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体... [388]
作者
徐波 [14]
江德生 [11]
赵德刚 [10]
叶小玲 [10]
韩培德 [8]
刘斌 [7]
更多...
文献类型
期刊论文 [303]
会议论文 [39]
学位论文 [29]
专利 [17]
发表日期
2002 [388]
语种
英语 [214]
中文 [173]
出处
半导体学报 [46]
JOURNAL O... [29]
APPLIED P... [14]
PHYSICAL ... [14]
CHINESE P... [12]
JOURNAL O... [11]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [163]
CSCD [139]
CPCI-S [38]
资助机构
Chinese Ma... [7]
国家自然科学基金(批... [7]
Ansto Sims... [4]
Chinese In... [3]
中国科学院半导体研究... [3]
国家自然科学基金资助... [3]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共388条,第51-60条
帮助
限定条件
发表日期:2002
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
Electron effective mass and resonant polaron effect in CdTe/CdMgTe quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 229 (1), BREMEN, GERMANY, SEP 09-14, 2001
作者:
Karczewski G
;
Wojtowicz T
;
Wang YJ
;
Wu XG
;
Peeters FM
;
Karczewski G Polish Acad Sci Inst Phys Al Lotnikow 32-46 PL-02668 Warsaw Poland.
Adobe PDF(84Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1196/286
  |  
提交时间:2010/11/15
Cyclotron-resonance
2 Dimensions
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1059/220
  |  
提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
Adobe PDF(1640Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1026/178
  |  
提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application
会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(357Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1417/239
  |  
提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gaas
Stoichiometry
Defects
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
Adobe PDF(133Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1195/238
  |  
提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(751Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1495/300
  |  
提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
Studies of 6H-SiC devices
会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:836/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Sic
Schottky
Pn Junction Diodes
Mos Capacitor
Junction Diodes
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
;
Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(635Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1407/437
  |  
提交时间:2010/11/15
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1311/242
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
类金刚石系列薄膜的离子束生长、微观结构与性能
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:
廖梅勇
Adobe PDF(2523Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:702/8
  |  
提交时间:2009/04/13