已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1157/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体模式转换器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 董杰 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:942/139  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明 Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1233/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 面发射等边三角形谐振腔激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄永箴 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:817/110  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣 Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:907/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:904/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种激光器与光电开关集成的器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 林世明 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/88  |  提交时间:2009/06/11 |
| In(Ga)As/GaAs自组织量子点材料和激光器研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002 作者: 孔云川 Adobe PDF(3882Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:811/22  |  提交时间:2009/04/13 |
| 的偏振特性与半导体微腔效应的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002 作者: 刘文楷 Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:691/12  |  提交时间:2009/04/13 |
| GaAs 基新型半导体材料的 MOCVD 生长及其在光电子器件中的应用研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002 作者: 韦欣 Adobe PDF(2839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/59  |  提交时间:2009/04/13 |