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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Cooperative spontaneous emission of excitons in the semiconductor microcavity
会议论文
VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS IV, 3946, SAN JOSE, CA, JAN 26-28, 2000
作者:
Liu S
;
Lin SM
;
Wang QM
;
Liu S Chinese Academe Inst Semicond Natl Optoelect Integrat Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spontaneous Emission
Microcavity Anisotropy
Polarized Exciton
Surface-emitting Lasers
Polariton Photoluminescence
Cavity
Operation
High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers
会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Xiu ZT
;
Zhang JM
;
Ma XY
;
Yang GW
;
Shen GD
;
Chen LH
;
Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sqw Lasers
Ingaasp
Power
Fiber
Nm
Circular crating optical scanning holography
会议论文
DIFFRACTIVE/HOLOGRAPHIC TECHNOLOGIES AND SPATIAL LIGHT MODULATORS VII, 3951, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Liang WG
;
Liu SY
;
Xie JH
;
Zhao DZ
;
Liang WG Acad Sinica Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1188/307
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提交时间:2010/10/29
Circular Grating
Scanning
Holography
Simulation
Wavelength tunable electroabsorption modulated DFB baser with thin film heater
会议论文
LEOS 2000 - IEEE ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS. 1 & 2, RIO GRANDE, PR, NOV 13-16, 2000
作者:
Liu GL
;
Wang W
;
Zhang JY
;
Wang XJ
;
Chen WX
;
Zhu HL
;
Liu GL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Laser
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li P
;
Yang WL
;
Tan PH
;
Wen HH
;
Zhao ZX
;
Li P,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Natl Lab Superconduct,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:1046/276
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi W
;
Fang CS
;
Xu ZL
;
Pan QW
;
Zhao X
;
Gu QT
;
Xu D
;
Yu JZ
;
Shi W,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1005/0
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提交时间:2010/10/29
Native Oxided Alas
Current Blocking Layer
Algainp
High Brightness Light Emitting Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu M
;
Guo X
;
Chen G
;
Han H
;
He M
;
Sun K
;
Zhu M,Univ Sci & Technol China,Grad Sch,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
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浏览/下载:1046/340
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Harrison I
;
Bell A
;
Ansell BJ
;
Winser AJ
;
Cheng TS
;
Foxon CT
;
Kawabe M
;
Kawabe M,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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浏览/下载:906/245
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YF
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Lin F
;
Wu J
;
Jiang WH
;
Ding D
;
Wang ZG
;
Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12