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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
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期刊论文
作者:
Luo GM
;
Jiang HW
;
Wu F
;
Yan ML
;
Mai ZH
;
Lai WY
;
Dong C
;
Wang YT
;
Luo GM,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Wu J
;
Xu B
;
Li HX
;
Mo QW
;
Wang ZG
;
Zhao XM
;
Wu D
;
Wu J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Han XF
;
Zhang MC
;
Qiao Y
;
Yang FM
;
Yang CP
;
Liu GC
;
Wang YZ
;
Hu BP
;
Han XF,Tohoku Univ,Grad Sch Engn,Dept Appl Phys,Aoba Ku,Sendai,Miyagi 9808579,Japan.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Xu J
;
He ZH
;
Chen KJ
;
Huang XF
;
Feng D
;
Xu J,Nanjing Univ,Natl Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Respaud M
;
Goiran M
;
Broto JM
;
Yang FH
;
Ould-Ely T
;
Amiens C
;
Chaudret B
;
Respaud M,Inst Natl Sci Appl Complexe Sci Rangueil,Phys Mat Condensee Lab,Serv Natl Champs Magnet Pulses,F-31077 Toulouse,France.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhu ZM
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Wang SZ
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhu ZM,Acad Sinica,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Miyazaki T
;
Yang FM
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Chen CP
;
Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu CC
;
Wang HM
;
Li YX
;
Wang QL
;
Ren BY
;
Xu YS
;
Que DL
;
Liu CC,Zhejiang Univ,Natl Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12