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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray-diffraction
Islands
Surfaces
Growth
Improved neutron radiation hardness for Si detectors: Application of low resistivity starting material and or manipulation of N-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 46 (3), TORONTO, CANADA, NOV 08-14, 1998
作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
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浏览/下载:1367/308
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提交时间:2010/11/15
Silicon Detectors
Fe-57 Mossbauer spectroscopic and magnetic studies of R3Fe29-xVx (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, and Dy)
会议论文
HYPERFINE INTERACTIONS, 121 (1-8), DURBAN, SOUTH AFRICA, AUG 23-28, 1998
作者:
Nagamine LCCM
;
Baggio-Saitovitch E
;
Azevedo IS
;
Han XF
;
Lin LY
;
Rechenberg R
;
Nagamine LCCM Ctr Brasileiro Pesquisas Fis Rua Dr Xavier Sigaud 150 Rio De Janeiro Brazil.
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浏览/下载:1186/235
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提交时间:2010/11/15
Nitride
Cr
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1369/272
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提交时间:2010/11/15
Stranski-krastanow Growth
Quantum Dots
Relaxation
Inas
Structural properties of SI-GaAs grown in space
会议论文
GRAVITATIONAL EFFECTS IN MATERIALS AND FLUID SCIENCES, 24 (10), NAGOYA, JAPAN, JUL 12-19, 1998
作者:
Chen NF
;
Wang YT
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gallium-arsenide
Microgravity
Stoichiometry
Si-based optoelectronic devices and their attractive applications
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Wang QM
;
Yang QQ
;
Zhu YQ
;
Si JJ
;
Liu YL
;
Lei HB
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
AlGaInP visible quantum well lasers for information technology
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen LH
;
Ma XY
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1184/401
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提交时间:2010/11/15
High-power Operation
Diodes
InP-based optoelectronic devices for optical fiber communications
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Luo Y
;
Chen LH
;
Li TN
;
Luo Y Tsing Hua Univ Dept Elect Engn State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100084 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Feedback Semiconductor-lasers
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:986/244
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提交时间:2010/11/15
Heteroepitaxial Growth
Hydrocarbon Radicals
Si(001) Surface
Beam
Crystallographic and magnetic properties of hydride R3Fe29-xTxHy (R=Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb and Dy; T=V and Cr)
会议论文
MAGNETISM, MAGNETIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS, 302-3, SAO PAULO, BRAZIL, JUN 07-11, 1998
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Baggio-Saitovitch E
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Han XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1075/161
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提交时间:2010/11/15
Magnetic Properties
Hydride
Hydrogenation
Saturation Magnetization
Curie Temperature
First-order Magnetization Process
R3fe29-xtxhy
r = y