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| 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚 ; 朱建军; 杨辉; 梁骏吾
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| 一种测量小光斑尺寸的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉
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| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou M; Chang QY; Zhao DG; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.en
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang DS; Jahn U; Chen J; Li DY; Zhang SM; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Yang H; Ploog K; Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG; Jiang DS; Zhu JJ; Liu ZS; Zhang SM; Yang H; Jahn U; Ploog KH; Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周梅; 赵德刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈亮; 亢勇; 赵德刚; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邢海英; 范广涵; 赵德刚; 何苗; 章勇; 周天明
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