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无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁松;  朱洪亮
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长波长InAs/GaAs 量子点的MOCVD 生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  梁松
Adobe PDF(3529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：741/38  |  提交时间：2009/04/13