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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1181/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1180/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/225  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1171/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 邵烨; 王占国 Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1669/225  |  提交时间:2009/06/11 |
| 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1216/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1059/337  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 梁志梅; 吴巨; 金鹏; 吕雪芹; 王占国 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1028/262  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 周立; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/370  |  提交时间:2010/11/23 |