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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲 ; 王占国
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| 对二氧化硫气体进行检测的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083496.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘万峰; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军; 王占国
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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| 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236703.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 安琪; 金鹏; 王占国
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| 集成热敏电阻的金刚石热沉 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010034103.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张全德; 刘峰奇; 王利军; 张伟; 刘万峰; 陆全勇; 刘俊岐; 李路; 王占国
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| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231191.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 江宇超; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 郭万红; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国
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| 不同粒径银纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256808.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 谭付瑞; 曲胜春; 王占国
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