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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯 ; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 高质量氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 一种紫外LED的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜
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| Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 全光谱LED光源模组 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 裴艳荣; 卢鹏志; 杨华; 王军喜; 李晋闽
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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