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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川
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| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城
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| 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑厚植; 李桂荣; 杨富华
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜伟; 许兴胜 ; 韩伟华; 王春霞; 张杨; 杨富华; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩伟华; 樊中朝; 杨富华
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