|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
 Adobe PDF(352Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1725/324 | 提交时间：2012/09/09 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(212Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1471/264 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(992Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1857/302 | 提交时间：2012/09/09 |
| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351236A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(840Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1086/167 | 提交时间：2012/09/09 |
| 氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(462Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1449/248 | 提交时间：2011/08/31 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(401Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1598/279 | 提交时间：2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(255Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1678/298 | 提交时间：2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1493/288 | 提交时间：2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1814/288 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(495Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1497/153 | 提交时间：2011/08/31 |
