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| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033967.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波 ; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033964.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033962.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 金属有机物化学沉积设备的反应室 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033963.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种测量非线性晶体热功率大小的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010257008.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 陈然; 马建立; 农光壹
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