高级检索   注册
SEMI OpenIR

检索


检索到的条目: 336条检索结果中的81-90条条目

限定条件    
条数/页:   其他排序方式:
题名作者发表日期▼ 全文
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充 [期刊论文]贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国2007
Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 [期刊论文]胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国2007
量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究 [期刊论文]刘国梁; 姚江宏; 许京军; 王占国2007
氧化锌-维纳米材料的制备方法 [专利]彭文琴; 曲胜春; 王占国2006-12-20
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 [专利]李凯; 叶小玲; 王占国2006-9-13
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 [专利]丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国2006-9-13
一种制备金属锆薄膜材料的方法 [专利]杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国2006-7-5
用于电调制光致发光光谱测量的样品架 [专利]丛光伟; 彭文琴; 吴洁君; 魏宏源; 刘祥林; 王占国2006-7-5
一种制备金属铪薄膜材料的方法 [专利]杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国2006-7-5
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 [专利]杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国2006-5-31

上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 下一页

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发