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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 [专利]杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国2007-8-15
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 [专利]杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国2007-8-15
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 [专利]刘宁; 金鹏; 王占国2007-8-1
提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 [专利]李若园; 徐波; 王占国2007-7-25
单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 [专利]郭瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国2007-6-20
一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 [专利]于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰2007-3-7
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 [专利]于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰2007-3-7
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 [专利]李凯; 叶小玲; 王占国2007-1-24
一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 [专利]陈涌海; 王占国2007-1-17
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 [专利]王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国2007-1-10

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