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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 [期刊论文]张曾; 张荣; 谢自力; 刘斌; 修向前; 李弋; 傅德颐; 陆海; 陈鹏; 韩平; 郑有炓; 汤晨光; 陈涌海; 王占国2009
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 [专利]任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国2008-12-3
提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 [专利]金灿; 金鹏; 王占国2008-11-19
δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 [专利]魏鸿源; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国2008-10-8
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 [专利]王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕2008-9-24
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 [专利]周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国2008-8-13
在半导体衬底上制备量子环结构的方法 [专利]周慧英; 曲胜春; ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国2008-8-13
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 [专利]刘俊朋; 曲胜春; 王占国2008-8-13
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 [专利]刘俊朋; 曲胜春; 王占国2008-8-13
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 [专利]梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国2008-7-2

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