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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 [专利]王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽2005-12-7
在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN [期刊论文]刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平2005
蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 [期刊论文]肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽2005
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 [期刊论文]刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽2005
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜 [期刊论文]高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平2005
MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 [期刊论文]冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽2005
硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展 [期刊论文]高兴国; 刘超; 李建平; 曾一平; 李晋闽2005
高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷 [期刊论文]董志远; 赵有文; 曾一平; 段满龙; 李晋闽2004
Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长 [期刊论文]王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平2004
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT [期刊论文]王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤2003

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