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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-4-23
采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-4-23
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 [专利]刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平2008-3-26
采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-1-2
ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 [期刊论文]何金孝; 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽2008
高平均功率全固态激光器发展现状、趋势及应用 [期刊论文]李晋闽2008
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 [期刊论文]林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽2008
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 [专利]王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽2007-7-25
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [专利]刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平2007-5-23
直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 [成果]李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方2007

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