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高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 [专利]张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽2008-10-29
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 [专利]赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平2008-10-8
生长氮化铟单晶薄膜的方法 [专利]王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽2008-7-30
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 [专利]王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽2008-7-30
一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 [专利]段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽2008-6-25
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 [专利]段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽2008-6-25
一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-4-23
采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-4-23
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 [专利]刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平2008-3-26
采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 [专利]秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽2008-1-2

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