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在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338
Authors:  姚振钰;  贺洪波;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  张建辉;  廖梅勇;  范正修;  秦复光;  王占国;  林兰英
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N型GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 371
Authors:  汪连山;  刘祥林;  岳国珍;  王晓晖;  汪度;  陆大成;  王占国
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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 225
Authors:  孙小玲;  杨辉;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  王占国
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MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
Authors:  孙小玲;  杨辉;  王玉田;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  徐大鹏;  王占国
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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 391
Authors:  朱东海;  王占国;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  金才政;  丛立方;  胡雄伟;  韩勤;  方祖捷;  刘斌;  屠玉珍
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