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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 深紫外激光光致发光光谱仪 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102213617A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 金鹏; 王占国
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王占国
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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 对二氧化硫气体进行检测的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083496.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘万峰; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军; 王占国
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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