中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氧化锌-维纳米材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭文琴;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(254Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1279/213  |  提交时间：2009/06/11
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1088/170  |  提交时间：2009/06/11
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  刘祥林;  董向芸;  魏宏源;  王占国
Adobe PDF(846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1070/155  |  提交时间：2009/06/11
用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1145/189  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1066/117  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1173/153  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/148  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1087/128  |  提交时间：2009/06/11
磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  李成明;  刘俊岐;  王占国
Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1077/185  |  提交时间：2009/06/11
一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  王春华;  刘俊岐;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1134/191  |  提交时间：2009/06/11