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Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Nie JP;  Yu YH;  Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sapphire Films  Silicon  
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Nie JP;  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Li GH;  Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Silicon