SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-6 of 6 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  申占伟
Adobe PDF(12152Kb)  |  Favorite  |  View/Download:438/49  |  Submit date:2017/06/02
4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 7, 页码: 941-944
Authors:  Zhengxin Wen;  Feng Zhang;  Member;  IEEE;  Zhanwei Shen;  Lixin Tian;  Guoguo Yan;  Xingfang Liu;  Lei Wang;  Wanshun Zhao;  Guosheng Sun;  Yiping Zeng
Adobe PDF(1287Kb)  |  Favorite  |  View/Download:190/0  |  Submit date:2018/06/01
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  Favorite  |  View/Download:287/0  |  Submit date:2016/09/29
用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  刘兴昉;  刘斌;  闫果果;  刘胜北;  田丽欣;  申占伟;  王雷;  赵万顺;  张峰;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(600Kb)  |  Favorite  |  View/Download:189/0  |  Submit date:2016/09/28
SiC基HEMT器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(882Kb)  |  Favorite  |  View/Download:223/3  |  Submit date:2016/09/22
在SiC材料中获取二维电子气的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(522Kb)  |  Favorite  |  View/Download:362/1  |  Submit date:2016/09/22