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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng DM (Deng Dongmei);  Zhao DG (Zhao Degang);  Wang JY (Wang Jinyan);  Yang H (Yang Hui);  Wen CP (Wen Cheng Paul);  Deng, DM, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: dmdeng@ime.pku.edu.cn
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Zhao JH;  Deng JJ;  Yang FH;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Yang FH;  Zheng HZ;  Qiu ZJ;  Gui YS;  Guo SL;  Chu JH;  Shen B;  Zheng YD;  Jiang, CP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cpjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Zhang MC;  Qiao Y;  Yang FM;  Yang CP;  Liu GC;  Wang YZ;  Hu BP;  Han XF,Tohoku Univ,Grad Sch Engn,Dept Appl Phys,Aoba Ku,Sendai,Miyagi 9808579,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Lin LY;  Miyazaki T;  Yang FM;  Xu RG;  Wang XH;  Pan HG;  Chen CP;  Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Xu RG;  Wang XH;  Pan HG;  Baggio-Saitovitch E;  Miyazaki T;  Yang FM;  Chen CP;  Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/214  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Xu RG;  Wang XH;  Pan HG;  Miyazaki T;  Baggio-Saitovitch E;  Yang FM;  Cheng CP;  Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(198Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：933/265  |  提交时间：2010/08/12