中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nan, HY;  Wang, ZL;  Wang, WH;  Liang, Z;  Lu, Y;  Chen, Q;  He, DW;  Tan, PH;  Miao, F;  Wang, XR;  Wang, JL;  Ni, ZH
Adobe PDF(1183Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1353/218  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR;  Xu B;  Wang HF;  Zhao GQ;  Shi SH;  Shen XZ;  Li JF;  Wang ZG;  Yang, XR, Handan Coll, Dept Phys & Elect Engn, Handan 056005, Peoples R China. yangxr1976@126.com
Adobe PDF(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1565/327  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang XH (Huang, Xiaohui);  Wang H (Wang, Huaibing);  Yin S (Yin, Song);  Chen XR (Chen, Xiaorong);  Chen W (Chen, Wei);  Yang H (Yang, Hui);  Wang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbwang2006@sinano.ac.cn
Adobe PDF(189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1025/428  |  提交时间：2010/03/08
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1310/234  |  提交时间：2009/06/11
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1543/189  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：972/287  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：948/289  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Zhang M;  Wang YS;  Bai XW;  Zhao J;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(21Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1052/367  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Qian JJ;  Ye XL;  Han Q;  Ding D;  Liang JB;  Zhong XR;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1002/287  |  提交时间：2010/08/12
非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1322/205  |  提交时间：2009/06/11