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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chao Liu;  Xingguo Gao;  Dongyan Tao;  Junxi Wang;  Yiping Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dongyan Tao;  Yu Cheng;  Jingming Liu;  Jie Su;  Tong Liu;  Fengyun Yang;  Fenghua Wang;  Kewei Cao;  Zhiyuan Dong;  Youwen Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xingguo Gao;  Chao Liu;  Dongyan Tao;  Yiping Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xingguo Gao, Chao Liu , Chunhai Yin, Lili Sun, Dongyan Tao, Cheng Yang, Baoyuan Man
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin Chunhai ,Liu Chao,Tao Dongyan and Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin Chunhai,Liu Chao,Tao Dongyan,Zeng Yiping
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