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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Wang SJ;  Zhang CL;  Li JB;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn
Adobe PDF(701Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2084/467  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wei M;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Wang XL;  Pan, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100864, Peoples R China. xpan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Renping;  Yan, Wei;  Wang, Xiaoliang;  Yang, Fuhua;  Zhang, R.(zhangrenping@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Wang X;  Wu AM;  Zhang B;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Chen, J, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail Address: jchen@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1369/484  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding WC;  Liu Y;  Zhang Y;  Guo JC;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
Adobe PDF(175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1325/307  |  提交时间：2010/03/08
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1878/307  |  提交时间：2010/03/09
Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ;  Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
Adobe PDF(618Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1137/331  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Yang JL;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Yu YD;  Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(646Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1400/494  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XS;  Yamada, T;  Ueda, R;  Otomo, A;  Xu, XS, Natl Inst Informat & Commun Technol, Kobe Adv Res Ctr, Nishi Ku, 588-2 Iwaoka, Kobe, Hyogo 6512492, Japan. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test 会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Li, Y;  Yang, FH;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Bulge Test  Fracture Property  Silicon Nitride  Weibull Distribution Function