中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：604/39  |  提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
Adobe PDF(4277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/99  |  提交时间：2015/06/02
Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力