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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Zuo YH;  Wang W;  Tao YL;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, JL;  Gaspar, J;  Paul, O;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: paul@imtek.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG (Zhang Jian-Guo);  Wang XX (Wang Xiao-Xin);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jianguochang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Cheng WC;  Li GH;  Chen CY;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen WD;  Kong GL;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Chen CY;  Chen WD;  Yang FH;  Diao HW;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Thick Sio2 Layer  Porous Silicon  Sio2/si Waveguide Device  Wave-guides  Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Cheng BW;  Li C;  Yang QQ;  Wang HJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sige/si  Mqws  Photodetector  1.3 Mu-m  Si/sio2