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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou JJ;  Chang BK;  Yang Z;  Qiao JL;  Zeng YP;  Zou, JJ, Nanjing Univ Sci & Technol, Inst Elect Engn & Optoelect Technol, Nanjing 210094, Jiangsu, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou JJ (Zou Ji-Jun);  Chang BK (Chang Ben-Kang);  Yang Z (Yang Zhi);  Gao P (Gao Pin);  Qiao JL (Qiao Jian-Liang);  Zeng YP (Zeng Yi-Pine);  Chang, BK, Nanjing Univ Sci & Technol, Inst Elect Engn & Opto Elect Technol, Nanjing 210094, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Zhao, H (Zhao Huan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邹继军;  常本康;  杨智;  高频;  乔建良;  曾一平
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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