SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共12条,第1-10条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He Kang;  Quan Wang;  Hongling Xiao;  Cuimei Wang;  Lijuan Jiang;  Chun Feng;  Hong Chen;  Haibo Yin;  Shenqi Qu;  Enchao Peng;  Jiamin Gong;  Xiaoliang Wang;  Baiquan Li;  Zhanguo Wang;  Xun Hou
Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:270/5  |  提交时间:2016/03/29
具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  彭恩超
Adobe PDF(8944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/92  |  提交时间:2014/06/05
氮化镓  异质结  高电子迁移率晶体管  二维电子气  背势垒  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Shenqi Qu, He Kang, Xun Hou and Zhanguo Wang
Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:418/92  |  提交时间:2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
Adobe PDF(3509Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:400/122  |  提交时间:2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
Adobe PDF(1198Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:539/149  |  提交时间:2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1114/370  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1318/296  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi Y;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Peng EC;  Lin DF;  Feng C;  Jiang LJ;  Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1262/270  |  提交时间:2011/09/14
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:628/80  |  提交时间:2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:679/98  |  提交时间:2014/10/31