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HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  庞蜜
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Hgte/cdte 量子阱  Inas/gasb超晶格  Inas/gasb耦合量子阱  二维拓扑绝缘体  窄禁带半导体  电子态结构  磁光吸收谱  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pang, M;  Wu, XG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  M. Pang and X. G. Wu
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：386/143  |  提交时间：2014/03/26