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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Lu YW;  Jin GR;  Zhao Y;  Wang XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu, YW, Beijing Jiaotong Univ, Dept Phys, Beijing 100044, Peoples R China. ywlu@bjtu.edu.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures  In-doping  2deg  Electron Sheet Density  X-ray Diffraction  Etching  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Phase Epitaxy  Mobility  Growth  Films