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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li XC; Lu JJ; Yang SR; Lu JJ Chinese Acad Sci Lanzhou Inst Chem Phys State Key Lab Solid Lubricat Lanzhou 730000 Peoples R China. E-mail Address: jjlu@lzb.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yin JZ; Du GT; Liu SP; Zhang YT; Yin ZY; Yang HJ; Yang XI; Ma Y; Li WC; Yang SR; Du GT,Jilin Univ,Coll Elect Sci & Engn,State Key Lab Integrated Optoelect,Jiefang Rd 119,Changchun 130023,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄大定; 刘超 ; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 殷景志; 刘素萍; 刘宗顺; 王新强; 殷宗友; 李正庭; 杨树人; 杜国同
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 尚也淳; 刘忠立; 王姝睿
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 尚也淳; 刘忠立; 王姝睿
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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者: Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY; Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic In-situ Doping Low-pressure Cvd Sapphire Substrate Chemical-vapor-deposition Competition Epitaxy |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yin JZ; Du GT; Liu SP; Liu ZS; Wang XQ; Li ZT; Yin ZY; Yang SR; Yin JZ,Jilin Univ,Dept Elect Engn,State Key Lab Integrated Optoelect,Jiefang Rd 125,Changchun 130023,Peoples R China.
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